针对手机快充、PD快充、适配器、等电源应用,安海半导体推出新一代SJ MOSFET系列,应用温升效率优,EMI特性好,抗浪涌能力强。同时安海半导体提供系统方案,次端推荐使用安海半导体中低压MOS。
输出电压(V) | 输出电流(A) | HVMOS | SRMOS |
---|---|---|---|
5 | 2-4 | ASD65R1K4E、ASD65R1K3E、ASD65R850E | * AUN042N055、AUN046N06 |
9 | 2 | ASD65R850E | AUN042N055 |
2.77 | ASD70R950E | AUN046N06 | |
12 | 2-3 | ASD65R850E、ASM60R330E | AUN084N10、AUN065N10、AUN060N10 |
20 | 2.25-3.25-5 | ASD65R350E、 ASD65R300E、 ASM60R330E、 ASM65R265E、 ASM65R190EFD、 ASD70R380E | AUN060N10、 AUN053N10、 AUN036N10 |
24 | 2-3-5 | ASD65R350E、 ASD65R300E、 ASM65R265E、 ASM65R190EFD、 ASD70R380E | AUN060N10、
AUN053N10、
AUN036N10 * |
针对墙插插板电源等应用,安海半导体推出新一代SJ MOSFET系列,应用温升效率优,EMI特性好,抗浪涌能力强。同时安海半导体提供系统方案,次端推荐使用安海半导体中低压MOS。
输出电压(V) | 输出电流(A) | HVMOS | SRMOS |
---|---|---|---|
5 | 2-4 | ASD65R1K4E、ASD65R1K3E、ASD65R850E | * AUN042N055、AUN046N06 |
9 | 2 | ASD65R850E | AUN042N055 |
2.77 | ASD70R950E | AUN046N06 | |
12 | 2-3 | ASD65R850E、ASM60R330E | AUN084N10、AUN065N10、AUN060N10 |
20 | 2.25-3.25-5 | ASD65R350E、 ASD65R300E、 ASM60R330E、 ASM65R265E、 ASM65R190EFD、 ASD70R380E | AUN060N10、 AUN053N10、 AUN036N10 |
24 | 2-3-5 | ASD65R350E、 ASD65R300E、 ASM65R265E、 ASM65R190EFD、 ASD70R380E | AUN060N10、
AUN053N10、
AUN036N10 * |