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2023: 2023.7

公司乔迁

2023年7月广州安海搬迁至合肥，更名为合肥安海半导体股份有限公司; 2023.5

获A轮上亿融资

2023年5月安海获得A轮上亿元融资
2022: 2022.12

第三代沟槽型SiC MOSFET量产

2022年12月第三代沟槽型SiC MOSFET量产，G3较G2功率密度又提高50%，1200V15毫欧良率超过70%。
2021: 2021.12

量产第二代1200V SiC MOS

2021年12月第二代1200V SiC MOS开始量产，第二代产品较第一代功率密度提高50%，平均良率达到91%以上; 2021.7

质量管理体系认证

2021年7月获得ISO9001:2015质量管理体系认证
2020: 2020.11

量产第一款1200V SiC MOS

2020年11月第一款1200V SiC MOS开始量产，并交付客户
2019: 2019.11

济南安海成立

2019年11月成立济南安海半导体有限公司; 2019

获得上亿投资

2019年获得上亿元战略投资
2017: 2017.9

广州安海成立

2017年9月广州安海半导体股份有限公司成立