应用案例
便携储能产品应用场景丰富，户外出游、抗震防灾、停电、照明、SOS救援等需求，产品负载多样，工作环境广泛且条件恶劣，对产品工作稳定性要求高；同时为了方便携带，产品体积重量也要比较小，产品功率密度要求较高。安海半导体多样的产品品类和稳定的产品性能方便客户更好的设计产品。
安海半导体为客户提供了丰富的低压MOS产品，极低的 FOM[RDS(on)xQg] 实现了低的导通和开关损耗，便于客户提高产品效率，做到更高的功率密度。优秀的EAS和SOA参数便于客户产 品适应不同的负载应用。-40°C-150°C的工作结温，便于客户产品在不同工作环境温度的应用。在 600W及以上的中高功率储能逆变电路，安海半导体可提供大电流系列600V 60A/75A 的IGBT产品，产品工作频率覆盖20〜50KHZ的应用，具备静动态损耗低、短路耐受力强的特点， 应用可靠性高。提供系列第三代宽禁带功率半导体碳化硅SIC MOSFET产品，具有电流密度高、开关速度快、浪涌和短路能力强等优点，电压覆盖1200V、1700V、1900V,典型应用领域为新能源汽车、充电桩、工业电源、光伏逆变、储能电源、风力发电、轨道交通等。
| 应用电路 | LV-MOS产品名 | 封装 | VDS | lD | RDS(on) @10V max | Vth @typ | Ciss | Qg |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| (V) | (A) | (mohm) | (V) | (pF) | (nC) | |||
| DC-DC | AUN042N055 | DFN5*6 | 55 | 5.0 | 3.0 | 3803 | 53.5 | |
| AUN046N06 | DFN5*6 | 60 | 5.3 | 3.0 | 3720 | 54.9 | ||
| AUP034N10 | TO-220 | 100 | 3.4 | 3 | 10000 | 138 | ||
| AUP049N10 | TO-220 | 100 | 4.9 | 3 | 5687 | 60.7 | ||
| AUP065N10AL | TO-220 | 100 | 5.5 | 1.8 | 3680 | 60.7 | ||
| BMS | AUB040N06T | TO-263 | 60 | 4.5 | 3 | 3720 | 54.9 | |
| AUB060N08AG | TO-263 | 85 | 6 | 3 | 3730 | 48 | ||
| AUB026N085 | TO-263 | 85 | 2.6 | 3 | 11000 | 152 | ||
| AUB034N10 | TO-263 | 100 | 3.4 | 3 | 10000 | 138 | ||
| AUB037N10 | TO-263 | 100 | 3.7 | 3 | 33.4 | 117 | ||
| PFC / DC-DC | ASW65R041EFDA | TO-247-3L | 650 | 80 | 41 | 4.0 | 7356 | 290.6 |
| ASW65R038EFD | TO-247-3L | 650 | 80 | 38 | 4.0 | 7356 | 290.6 | |
| ASW65R031EFD | TO-247-3L | 650 | 89 | 31 | 3.5 | 8031 | 150.9 | |
| ASW65R031EFD | TO-247-3L | 600 | 90 | 29 | 3.5 | 9001 | 150.9 |
| 应用电路 | IGBT产品名 | 封装 | Vces | lc@100°C | VGE(th) @typ | VCE(Sat)@25°C Typ | 推荐应用频率 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| (V) | (A) | (V) | (V) | (Hz) | |||
| 逆变 | AGW60N65 | TO-247-3L | 650 | 60 | 5.45 | 1.4 | 20K~50K |
| AGW75N65 | TO-247-3L | 650 | 60 | 5.6 | 1.3 | 20K~50K |
| 应用电路 | 产品类型 | TO247-3L | TO247-4L | TO263-7L | VDSmax(V) | Current (A) | Ron typ (mΩ) | Ron max (mΩ) | Vth (V) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PFC / DC-DC | SiC Mosfet | ADW120N040 | ADQ120N040 | 1200 | 76 | 35 | 40 | 3.2 | |
| SiC Mosfet | ADW120N040L | ADQ120N040L | 1200 | 76 | 35 | 40 | 2.5 | ||
| SiC Mosfet | ADQ120N080A | 1200 | 35 | 80 | 130 | 3.7 | |||
| SiC Mosfet | ADW120N080 | ADQ120N080 | ADG120N080 | 1200 | 38 | 80 | 100 | 3.5 | |
| SiC Mosfet | ADW120N100 | ADQ120N100 | 1200 | 26 | 100 | 120 | 3.2 | ||
| SiC Mosfet | ADW120N080G2 | ADQ120N080G2 | ADG120N080G2 | 1200 | 35 | 80 | 100 | 2.8 | |
| SiC Mosfet | ADW120N040G2 | ADQ120N040G2 | 1200 | 68 | 40 | 45 | 2.7 | ||
| SiC Mosfet | ADW170N100 | ADQ170N100 | 1700 | 29 | 100 | 130 | 2.7 | ||
| SiC Mosfet | ADQ170N055 | 1700 | 40 | 55 | 70 | 2.7 | |||
| SiC Mosfet | ADQ190N065 | 1900 | 35 | 65 | 80 | 2.7 |