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SiC MOSFET

安海半导体推出基于世界领先的车规级平面高密度工艺与沟槽工艺的第三代宽禁带功率半导体碳化硅SIC MOSFET产品，产品性能：高频率、高功率、高效率、低导通电阻优点。具有电流密度高、开关速度快、浪涌和短路能力强等优点，电压覆盖1200V、1700V、1900V,典型应用领域为新能源汽车、充电桩、工业电源、光伏逆变、储能电源、风力发电、轨道交通等。在应用上更能满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求。

SiC MOSFET

安海半导体推出新一代SJ MOSFET系列,采用先进的多层外延技术，优化了元胞结构，具有电流能力强，短路能力好，雪崩特性强，体内二极管反向恢复特性优，dv/dt能力优，EMI特性好，抗浪涌能力强的等特点和优点。基于电荷平衡，超结核心是pillar柱与N-EPI 电荷平衡，在击穿状态下，完全耗尽。DeepTrench工艺，由于Pillar柱一次形成，无法对Pillar浓度做调整。而多层外延技术，则可以分步进行调整，使器件的鲁棒性更强，更宽的SOA区间，具有优异的EMI及抗浪涌能力，性能更加稳定。主要应用于电子产品充电器，LED照明，车载OBC，充电桩，光伏逆变，DC-DC电源等行业。

SJ MOSFET

SGT MOSFET

安海半导体为客户提供了丰富的低压MOSFET产品，采用先进的 SGT MOS技术，极低的 FOM[RDS(on)xQg] 实现了低的导通和开关损耗，便于客户提高产品效率，做到更高的功率密度。优秀的EAS和SOA参数便于客户产品适应不同的负载应用。-40°C-150°C的工作结温，便于客户产品在不同工作环境温度的应用。

SGT MOSFET

IGBT

安海半导体可提供大电流系列的IGBT产品，产品工作频率覆盖20〜50KHZ的应用，具备静动态损耗低、短路耐受力强的特点，可靠性高。产品优势：更窄的mesa设计，更优化的沟槽组合设计，更高的可靠性设计，严格参照车规级要求。产品性能：更快的开关速度，应用频率达60KHz，更高的电流密度，可达400A/cm-2。产品应用：OBC、充电桩、焊机、开关电源、光伏逆变器、储能等。

IGBT

SGT MOSFET

SGT MOSFET , 安海半导体为客户提供了丰富的低压MOSFET产品，采用先进的 SGT MOS技术，极低的 FOM[RDS(on)xQg] 实现了低的导通和开关损耗，便于客户提高产品效率，做到更高的功率密度。优秀的EAS和SOA参数便于客户产品适应不同的负载应用。-40°C-150°C的工作结温，便于客户产品在不同工作环境温度的应用。